Si-B-Bi-O系钛酸锶陶瓷烧结及其介电性能的研究

摘要

研究了SiO2_B2O3_Bi2O3加入量、烧结温度对钛酸锶陶瓷电容器材料性能的影响。借助扫描电镜和宽频介电仪研究陶瓷的烧结过程及其介电性能。结果表明:SrTiO3和(Si,B,Bi)摩尔比为75∶25,(Si,B,Bi)摩尔比为15∶30∶55的样品在1 250℃烧成表现出良好的高频介电性能,介电常数为355,介质损耗角正切值低于5×10-4。