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宁彦卿; 王志华; 陈弘毅;
清华大学微电子学研究所;
互补金属氧化物半导体; 电感电容压控振荡器; 交叉耦合; 低电压; 宽频带;
机译:基于互补交叉耦合拓扑和改进型尾电流整形技术的5 GHz低功耗CMOS LC VCO设计
机译:CMOS LC VCO中MOS变容二极管的可靠性分析
机译:具有n型和p型门的MOS变容二极管及其对数字CMOS中LC-VCO的影响
机译:180nm CMOS技术设计6.7 GHz〜7.518 GHz交叉耦合LC-VCO
机译:具有LC延迟线VCO的10 Gb / s CDR / DEMUX,位于0.18微米CMOS中。
机译:28 nm CMOS LC振荡器电路拓扑中的相位噪声的比较分析:HartleyColpitts和共源交叉耦合差分对
机译:采用线性叠加技术的324GHz CmOs VCO
机译:用于LC VCO的MOS变容二极管
机译:具有低相位噪声功能的四频带CMOS LC VCO电路
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