氢化非晶碳膜的低阈值场发射

摘要

在等离子增强气相化学沉积 (PECVD)系统中 ,利用氢稀释方法制备了氢化非晶碳 (a-C∶ H)薄膜样品。在高真空腔中测量了样品的场发射特性。与用纯甲烷 (CH4 )制备的 a-C∶H薄膜样品相比 ,经过氢稀释处理的样品场发射开启电场明显下降 ,达到 0 .5 V/μm。认为是样品的场增强因子的增大改善了样品的场发射特性 ,这种场增强可能来源于碳膜中电子结构的各相异性和碳膜表面氢终结的增加。