金属基底上IBAD-YSZ缓冲层的生长机理

摘要

用离子束辅助沉积(IBAD)方法,变换辅助离子束的能量和束流密度,在Hastelloy基底上制备了钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜,作为涂层导体的缓冲层。XRD的结果显示:在一定的离子能量和束流密度的范围内,能够制备出高质量双轴织构的(001)取向的YSZ缓冲层,随着辅助离子束能量和束流密度的增大,IBAD-YSZ的面外取向和面内织构都出现先变好又变坏的现象。文中用辅助离子束对薄膜破坏程度的各向异性对结果做了解释。