氢钝化对低温沉积nc-SiO_x/SiO_2多层薄膜发光特性影响机制研究

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积技术实现了nc-SiO_x/SiO_2多层结构薄膜在220℃的低温沉积,并对其450℃N_2+H_2形成气体退火前后的微结构及其发光特性进行了研究。结果表明,直接沉积的纳米硅多层薄膜未观察到较明显的室温发光,而形成气体退火后样品出现峰值位于780 nm附近较强的光致发光,归因于活性氢能有效钝化纳米硅表面悬键,提高了材料的发光强度。结合瞬态发光谱分析,采用量子限制-发光中心模型可以合理解释纳米硅多层结构的发光特性。