Si_3N_4超微粒的RF－CVD合成及其介电性质

摘要

利用自制的ＲＦ－ＣＶＤ装置合成了Ｓｉ_３Ｎ_４超微粒。着重考察了反应气混合方式对反应机理、化学含量、粒子形态及凝聚结构的影响。得到的Ｓｉ＿３Ｎ＿４粒子的典型尺寸为１０～５０ｎｍ，并且凝聚形成分形结构，其对应不同反应温度合成的粒子的分形维数约在２．１５到１．７４之间。非晶Ｓｉ＿３Ｎ＿４超微粒经１ＧＰａ高压压制，可看成是Ｓｉ＿３Ｎ＿４粒子和界面空隙组成的多相复合材料，它的异常介电性质能够用多相材料性质的逾渗理论得到解释。