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张银桥; 蔡建九; 张双翔; 张永; 林志园; 王向武; 陈开建;
厦门乾照光电股份有限公司;
上海空间电源研究所;
砷化镓; 铟镓砷; 缓冲层; 弛豫特性;
机译:变质缓冲液中含有具有不同周期数的超晶格的变质HEMT纳米异质结构In_(0.7)Al_(0.3)As / In_(0.7)Ga_(0.3)As / In_(0.7)Al_(0.3)As的电物理特性和结构参数
机译:变形核纳米醚的电体特性和结构参数 - (0.7)Al_(0.3)为/ in_(0.7)Ga_(0.3)AS / IN_(0.7)AL_(0.3),含有变质缓冲液中的不同超级晶格
机译:霍尔和光致发光研究对In_(0.15)Ga_(0.85)As / Al_(0.25)Ga_(0.75)As / GaAs高电子迁移率中心处附加In_(0.3)Ga_(0.7)As层的厚度的影响晶体管
机译:变质缓冲剂设计对MHEMT纳米异质结构In_(0.7)Al_(0.3)As / In_(0.7)Ga_(0.3)As / In_(0.7)Al_(0.3)As / GaAs的电物理和结构性质的影响
机译:用于钠离子电池的高容量新型P2型Na0.7NI 0.3mN0.59Co0.1cu0.01O2阴极材料,用于支配和发展算法和健康状态估算
机译:磁场作用下静水压力和温度对GaAs / Ga0.7Al0.3As莫尔斯量子阱非线性光学性质的综合影响
机译:优化层厚度的层厚度= -0.3 - = / sub = -ga- = sub = -0.7 - = / sub = -0.7 - = / sub = -as,在三阶段中的 - = sub = -0.3 - = / sub = -ga- = sub = -0.7 - = /子= -as / gaas / in- = sub = -0.5 - = /子= -ga-= sub = -0.5 - = / sub = -p阳光明媚的元素
机译:光谱椭偏法研究区域中心量子限制效应研究单(al)(0.3)Ga(0.7)as / Gaas / al(0.3)Ga(0.7)as,方形量子阱的介电函数
机译:用于漆料和涂料的乙烯基酯是通过环氧化物与0.7-0.9摩尔的烯键式不饱和羧酸和0.1-0.3摩尔的饱和羧酸(相对于环氧当量)反应制得的
机译:LA0.7SR0.3MNO3相对冷却能力增强的铈磁性材料及其制造方法
机译:用于制造GaAs材料的单晶层的单晶层的单晶层的方法,用于GaAs材料的单晶层外延生长
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