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陈楠; 魏廷存; 魏晓敏; 高武; 郑然;
西北工业大学计算机学院;
静态随机存储器; 辐射加固技术; 单粒子翻转; 错误检测与校正;
机译:低电压13T抗辐射SRAM位单元的单粒子翻转耐受性研究
机译:边缘效应对SOI SRAM的单事件翻转敏感性的影响
机译:290mV,7nm超低电压单端口SRAM编译器设计,使用12T写入争用和读取翻转自由位单元
机译:航天高性能数字信号处理系统在空间环境中的抗单事件翻转效应软件设计及在应用中的效应评估
机译:SRAM的体系结构设计,具有片上错误检测和针对单事件翻转的纠正功能。
机译:糖尿病患者成果的现实世界观测研究(响应):2型糖尿病患者的研究设计和基线特征新起始口腔抗糖尿病药物单治疗
机译:基于铁电容器的非易失性SRAM设计的单事件效应模拟
机译:CmOs sRam中单粒子翻转的分析模型和实验结果比较
机译:“提供一种用于提供抗单粒子翻转脉冲宽度调制器集成电路”
机译:提供一种用于提供抗单粒子翻转脉冲宽度调制器集成电路
机译:电路,用于提供抗单粒子翻转脉冲宽度调制器集成电路
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