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目录
第 1章绪论
1 .1课题背景及研究意义
1.2 SRAM存储器抗辐射加固设计需解决的问题
1.3 SRAM存储器抗辐射加固技术国内外研究现状
1 .4论文主要研究内容
第2章十进制矩阵码加固SRAM存储器技术
2 .1引言
2.2 D M C码加固技术
2 .3功能验证及可靠性分析
2.4 D M C码面积、功耗和延迟分析
2 .5本章小结
第3章混合ECC码加固SRAM存储器技术
3 .1引言
3.2 M C码设计
3 .3功能验证及可靠性分析
3 .4冗余分析
3 .5本章小结
第4章抗多节点翻转存储器单元加固设计
4 .1引言
4 . 2抗福射RHM-N存储单元设计
4 . 3抗辐射RHM-P存储单元设计
4 .4构造的抗辐射存储单元性能比较
4 .5本章小结
结论
参考文献
攻读博士学位期间发表的论文及其他成果
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致谢
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