YBCO涂层导体CeO_2,Y_2O_3缓冲层的生长研究

摘要

采用反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备了CeO2,Y2O3缓冲层。Ar/H2气氛下预沉积的引入,有效地抑制了基底的氧化。同时,为保证薄膜的外延取向,预沉积时间必须和总沉积时间满足线性关系。对比CeO2,Y2O3的生长条件,发现CeO2的外延生长区间比Y2O3宽,Y2O3的生长对温度、气压等条件更为敏感。最终制备的CeO2缓冲层是纯的(100)取向,其平面内Ф扫描半高宽(FWHM)为8.5°;而Y2O3存在两种平面取向,一种是Y2O3(110)‖Ni(100),另一种是Y2O3(100)‖Ni(100)。俄歇能谱观察表明,CeO2/Ni界面优于Y2O3/Ni界面。扫描电镜照片显示,CeO2,Y2O3缓冲层的表面均匀致密,无裂纹生成,但两种薄膜中,都有呈三角形的胞状突起。