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钱峰; 陈新宇; 肖秀红; 姚晓峨; 周天舒; 潘菁; 陈效建; 齐鸣; 李爱珍;
南京电子器件研究所;
中科院上海冶金所;
异质结; 双极晶体管; 半导体器件;
机译:35 GHz f / sub t /和26 GHz f / sub max / GaInP / GaAs异质结双极晶体管
机译:自对准,发射极边缘钝化的AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管,外推最大振荡频率为350-GHz
机译:截止频率为10 GHz的a-Si:H(n)/ GaAs(p)/ GaAs(n)高增益异质结双极晶体管的设计
机译:自对准发射极边缘钝化的AIGaAs / GaAs异质结双极晶体管,具有最高350GHz的外推振荡频率
机译:高增益Ingap / GaAs异质结双极晶体管的低压金属化学气相沉积
机译:使用旋涂银纳米粒子/氧化锌薄膜提高GaInP /(In)GaAs / Ge太阳能电池的效率
机译:高达36 GHz的低相位噪声GaInP / GaAs-HBT MMIC振荡器
机译:Gaas / alas谐振隧道二极管中的振荡频率高达420 GHz。
机译:手机芯片电路,将振荡器频率转换为GHz载波频率,混合分频和直接本机振荡器频率
机译:在GHz频率范围内的振荡器应用中,具有谐振电路,在该电路中,通过以振荡器频率工作的开关器件,电感与其他电感周期性地并联切换
机译:使用锁相电介质振荡器产生15GHz频率带的频率合成器
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