InAs自组织量子点(线)的制备和表征

武光明; 李月法; 贾锐

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InAs自组织量子点(线)的制备和表征

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在InP（001）基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析,认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件,停止衬底旋转时InAlAs缓冲层沿[110]方向分布的台阶促使InAs优先形成量子点.讨论了量子点和量子线的形成机理.

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来源
《材料研究学报》 |2002年第5期|490-494|共5页
作者
武光明; 李月法; 贾锐;
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作者单位

北京石油化工学院;

中国科学院半导体研究所;

中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;TN304.054;
关键词
InAs; 自组织量子点; 制备; 表征; 分子束外延生长; Stranski-krastanow模式; 砷化铟; 半导体; 量子体;

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