一种基于衬底驱动技术的亚1V CMOS混频器

摘要

讨论了衬底驱动的工作原理。基于衬底驱动NMOS晶体管,对Gilbert混频器电路结构进行改进设计,实现了超低压混频器。基于TSMC 0.25μm CMOS工艺的BSIM3V3模型,采用Hspice,对混频器进行了仿真。结果显示,该混频器在0.8 V单电源电压下,仍可以对2.4 GHz的正弦信号进行混频,转换增益为-8.5 dB,三阶输入截止点的值为28.4 dB。