表面二次阳极氧化对HgCdTe光导器件性能的影响

摘要

采用微波光电导衰退法(μ-PCD)测试了二次阳极氧化膜和传统氧化膜钝化的中波n型HgCdTe芯片的少子寿命。利用俄歇电子能谱(AES)研究了传统方法与新方法生成的氧化膜的组分变化。结果表明二次阳极氧化能显著提高少数载流子寿命,采用此工艺制作的光导器件的信号、响应率、D*优于常规方法制作的器件。