糖尿病大鼠背根神经节神经元TTX-R钠离子通道电流变化及意义

摘要

目的：通过研究大鼠糖尿病神经病理性疼痛（DNP）中背根神经节（DRG）神经元TTX-R钠离子通道特征的变化,以探讨此疾病引起痛觉过敏可能的发生机制。方法：8只SD大鼠腹腔注射链尿佐菌素诱导制作糖尿病神经病理性疼痛模型（DNP组）,取L5~6DRG,贴壁消化法行神经元培养,电生理全细胞膜片钳记录离子通道电流;8只同月龄大鼠为正常对照。结果：大鼠糖尿病神经病理性疼痛小直径DRG神经元TTX-R INa电流密度较对照组增高。与对照组比较激活曲线向超极化移动3.9 mV（P〈0.05）,DNP组具有重复放电的神经元的比率增加。结论：大鼠糖尿病神经病理性疼痛小直径DRG神经元TTX-R钠通道电流的变化是痛觉过敏形成的原因之一。