在45°取向切割的BaTiO_3晶体中获得的增强光折变效应

摘要

光折变晶体BaTiO3由于其极大的增益系数是极有前景的应用材料之一。但目前采用的晶体都是垂直于光轴C正常切割（0°切割）,其原因是易于反复极化、抛光,以获得高质量的单畴晶体。然而理论分析证明,如果把晶体入射面按与C轴45°方向切割（45°切割）,可预期得到高至Γ=36cm-1的指数增益系数。由于在这种切割的晶体中,光束只要垂直入射便可得最大耦合强度,因此克服了0°切割晶体掠入射造成的光斑畸变。