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张真; 张行愚; 王青圃; 刘兆军; 丛振华; 陈晓寒; 范书振; 张琛;
山东大学信息科学与工程学院;
激光物理; AlGaInAs; 饱和吸收体; 调Q; 速率方程;
机译:V3 +:YAG饱和吸收体对1.3微米被动调Q开关Nd:LuAG激光器的实验和理论研究
机译:GaAs饱和吸收体在1050 nm附近的被动调Q Yb:YAG激光器的实验和理论研究
机译:以AlGaInAs量子阱作为可饱和吸收体的高脉冲能量被动调Q掺Yb光纤激光器
机译:用于1064 nm的二极管泵浦无源调Q开关Nd:YVO4激光器的AlGaInAs量子阱可饱和吸收体
机译:快速饱和吸收体的被动锁模激光器的理论研究
机译:III型氮化物半导体中II型能带对准的证据:In0.17Al0.83N / GaN异质结构的实验和理论研究
机译:实验性TDPAC和结构,电子和高浓性特性的理论DFT研究(111IN→)111CD掺杂的SnO2半导体:AB初始型腐烂后效应现象的初始建模
机译:快速精密调平系统(RpLs)分散子系统湍流效应的理论与实验研究
机译:热力学理论,冲击波理论,弹性波理论和弹性理论在炸药爆炸时,爆炸中和爆炸后的爆炸特性研究中的应用
机译:进行弹性理论实验室实验的视觉研究艾滋病
机译:饱和半导体吸收体是法布里-珀罗装置,其饱和吸收体层的光密度为一半波长或两个布拉格镜之间的整数倍
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