ZnO陶瓷薄膜的制备及其低压压敏性质

摘要

利用新型 Sol- Gel法在镀有 Au底电极的单晶硅片上制备 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O陶瓷薄膜。先驱体溶液由 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O纳米粉体均匀分散于含有 Zn(CH3COO) 2 、Bi(NO3) 3及 Sb2 O3的溶胶中制成。薄膜由甩胶法制备 ,并由 40 0°C预烧、75 0°C退火。制得的陶瓷薄膜 Zn O结晶良好 ,并存在β- Bi2 O3、Zn2 Sb3Bi3O1 4 及Zn7Sb2 O1 2 相 ,表现出良好的低压压敏性质。厚约为 3μm的 Zn O陶瓷薄膜非线性系数α为 6 .2、压敏电压为 5 V、漏电流为 8μA。