离子注入中硼在R_p缺陷的析出模型(英文)

摘要

建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的Rp缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因,与实验结果能够较好的吻合,为研究硼的扩散机理提供了很好的依据,为超浅结工艺模拟提供了基本模型,对于开发下一代集成电路研制的工艺模拟程序有着非常重要的意义。