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方攀; 袁泽锐; 陈莹; 尹文龙; 康彬;
中国工程物理研究院化工材料研究所;
绵阳621999;
四川省新材料研究中心;
成都610200;
中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室;
中红外激光晶体; Dy∶PbGa2S4单晶; 竖直梯度冷凝法; 晶体生长;
机译:中红外激光晶体DY3 +:PBGA2S4的晶体生长和第一原理计算
机译:中红外激光水晶DY3 +:PBGA2S4的晶体生长和第一原理计算
机译:Dy3 +和Er3 +掺杂的KPb2Cl5作为中红外激光晶体的晶体生长和光谱分析
机译:二极管泵送的镝掺杂-PBGA2S4中红外激光器
机译:Cr 2+掺杂的II-VI半导体窗口和晶体的材料制备和红外光谱,用于中红外激光应用。
机译:飞秒激光螺旋写入法制备的Cr:ZnS通道波导的中红外激光发射
机译:用于波导激光器的薄膜的生长:铬掺杂的Zn硫属元素化物的开发是有效的,可广泛调谐的中红外激光器
机译:用于半导体器件的半导体晶体层的生长方法以及使用该方法生长半导体激光器件的方法
机译:有机半导体晶体的取向生长方法及利用该晶体的有机激光器件
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