剥离形成平坦化的精细双层铝布线技术

摘要

研究了剥离在平坦化的双层金属布线中的应用情况,采用等离子氮化硅膜为剥离衬底,并将其作为下层铝及台阶的隔离物/填充物.SEM分析表明,通过选取合适的衬底参数及剥离等处理条件,可以形成一个平坦化程度相当好的,低至3μm的精细金属布线结构.电学测试也表明该结构的综合指标能够满足一般电路要求,可以成功地为LSI/VLSI的研制提供可靠的平坦化多层布线技术.