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陈杰; 戴文战;
杭州应用工程技术学院电机系;
杭州商学院电子系;
半导体光电器件; C-V特性曲线; 光电容; 测试;
机译:Mo衬底上原位硫化 em>的CdS–MoS 2 sub>异质结构有效产生光电化学氢
机译:工艺参数对含Mn,Cr和Mo的结构Pm钢组织和力学性能的影响/制造参数对结构的影响? Mn,Cr和Mo的烧结结构钢的力学性能
机译:提取0.25μm部分耗尽的绝缘体MOSFET的高频噪声参数:高电阻率衬底的影响
机译:基础加工参数对二维MOS2薄膜结构和组成的影响
机译:宽带隙氧化物衬底对通过连续离子层吸附和反应(SILAR)法生长的CdS纳米粒子的光电化学性质和结构无序的影响
机译:衬底电阻率对垂直泄漏,击穿和捕获的衬底电阻率的影响
机译:mo衬底上薄膜Gaas的形貌和微观结构
机译:其具有降低了开关电阻率的沟槽栅电极以及MOS晶体管结构和MOS晶体管结构的制造方法
机译:MOS集成电路,其中衬底包含选择性地形成的电阻率区域
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