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【2h】

Impact of Substrate Resistivity on the Vertical Leakage, Breakdown, and Trapping in GaN-on-Si E-Mode HEMTs

机译：衬底电阻率对垂直泄漏，击穿和捕获的衬底电阻率的影响

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Matteo Borga; Matteo Meneghini; Steve Stoffels; Xiangdong Li; Niels Posthuma; Marleen Van Hove; Stefaan Decoutere; Gaudenzio Meneghesso; Enrico Zanoni;
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年度 2018
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