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孟凡涛; 杜善义; 张宇民;
哈尔滨工业大学复合材料研究所;
山东理工大学材料科学与工程学院;
碳化硅晶须; 化学气相沉积; VS机理; 反应烧结碳化硅;
机译:晶须直径对化学气相沉积生长的碳化硅晶须场发射性能的影响
机译:化学气相渗透法制备的碳化硅晶须增强碳化硅复合材料
机译:碳化锆和碳化硅混合晶须的化学气相沉积
机译:使用乙烯气作为碳源,通过光化学气相沉积法制备的高质量微晶碳化硅膜
机译:通过化学气相渗透/化学气相沉积技术制备纳米多孔碳化硅膜的实验研究和计算机模拟。
机译:脉冲等离子体化学气相沉积法制备纳米多孔非晶碳化硼薄膜的摩擦学和热稳定性研究
机译:通过单一化学气相沉积工艺制备亚微米级透晶微粒细颗粒
机译:化学气相沉积和等离子体辅助化学气相沉积技术制备碳 - 碳复合材料氧化保护体系的研究。
机译:用于生产金属碳化物或氮化硅晶须的化学气相沉积工艺
机译:通过化学气相沉积(cvd)方式制备了过渡金属的碳化物和氮化物的晶须。
机译:通过化学气相沉积对碳化钨工具进行金刚石涂层而无需化学制备碳化物,包括在工具上沉积碳化硅中间层,以及用碳化硅进行微珠喷砂工具
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