Pb/PbSe Schottky 势垒结研究

方龙森

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本文对形成Ⅳ-Ⅵ族PbSe 金属-半导体肖特基势垒结之工艺和为了提高该器件的R_0A 值,将氯化物作为Pb/PbSe 界面的机理作了研究.本文还研究了具有PbCl_x 界面的PbSe 肖特基势垒结的特性模型化,同时给出了R_0,n,R_(SH),和Φ_B 等模型参数的提取方法.测量表明具有界面层的Pb/PbSe势垒结显示了良好的电学性能.

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来源
《上海交通大学学报》 |1991年第1期|81-86|共6页
作者
方龙森;
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作者单位

上海科技大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.24;
关键词
界面层; 肖特基势垒结; Pb; PbSe;

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