甘草苷在悬汞电极上的电化学行为及方法研究

摘要

运用循环伏安法(CV)考察了甘草苷在悬汞电极(HMDE)上的电化学还原行为,在-0.7^-1.7 V(vs.SCE)电位窗口及0.10 mol/L(NH4)2SO4溶液中甘草苷在HMDE上的循环伏安行为是一在低扫描速度(<100 mV/s)下受吸附控制,在高扫描速度下受扩散控制的不可逆还原过程,还原峰电位(Epc)为-1.491 V。运用计时库仑法(CC)、计时电流法(CA)测定并计算了甘草苷的电荷传递系数α、扩散系数D以及表观速率常数Kf等电极过程动力学参数。初步探讨了甘草苷在HMDE上的反应机理,同时运用方波伏安法(SWV)研究了甘草苷在HMDE上的方波伏安行为,还原峰电流与其浓度在1.2×10-6~1.2×10-5mol/L及1.2×10-5~1.2×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,相关系数R=0.9936及0.9966,检出限8.0×10-7mol/L,据此可建立直接电化学测定甘草苷含量的方法。