CdZnTe平面核辐射探测器研究

摘要

采用垂直Bridgman方法生长的CdZnTe晶体,定向切割成12 mm×7 mm×2.5 mm单晶片。通过研磨、抛光、腐蚀、电极制备、钝化、退火等一系列工艺,制成了Au/CdZnTe/Al平面探测器。重点研究了快速退火对电极接触特性的影响。测试了Au/CdZnTe/Al平面探测器的能谱响应特性。结果表明:在室温偏压为350 V条件下,探测器的241Am 59.54 keV光谱能量分辨为3.95%(2.35 keV FWHM)。