用HREELS和UPS研究多孔硅的电子结构

摘要

使用高分辨电子能量损失谱 (HREELS)和紫外光电子能谱 (UPS)研究了新腐蚀的多孔硅 (PS)样品的电子结构。实验结果表明 ,从HREELS谱中能量损失阈值测得的PS的能隙移到 2 .9eV ,与文献报道的光激发谱 (PLE)结果相近。UPS结果表明PS的费米能级到价带顶的距离不同于单晶Si。