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弓小武; 刘玉书;
西安交通大学微电子研究所;
航天部771所;
集成电路; CMOS; 基准电压源; 设计;
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:具有1.2 V工作电压的高PSRR CMOS基准电压源
机译:1V以下15ppm /°C CMOS带隙基准电压源,无需低阈值电压器件
机译:近期先进的低压低温温度系数CMOS带隙基准电压源的设计考虑
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:最新高级低压低温度系数CMOS带隙基准电压源的设计考虑
机译:CmOs电压折叠电路的分析与设计及其在高速aDCs中的应用
机译:CMOS子带隙基准电压源,其工作电源电压小于带隙电压
机译:具有扩展基准电压源的CMOS数字电压模式数字电压转换器
机译:CMOS工艺中具有高PSRR和低电压的无OPAMP带隙基准电压源
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