氧化锡纳米晶的合成与生长

摘要

采用水热法制备了氧化锡纳米晶,通过X射线衍射仪(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)对氧化锡纳米晶样品的晶体结构、晶粒形貌进行了表征,并研究了氧化锡纳米晶生长和位错的产生机制。结果表明:在退火温度低于500℃时,晶粒生长依靠着周围的非晶成分而长大,纳米晶内部无晶格缺陷;退火温度高于500℃时,晶粒通过相互粘结的方式而长大。晶粒之间的不完全取向粘结导致了缺陷与位错的产生。