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段文晖; 唐师龙; 顾秉林; 宋全明;
冶金部钢铁研究总院;
清华大学现代应用物理系;
电子结构; 空位; 过渡元素; 碳化物;
机译:空位对4d过渡金属碳化物结构和电子性能的影响
机译:过渡金属碳化物的影响和氮化物支撑对薄铂覆盖层的电子结构
机译:载体对过渡金属碳化物上金纳米颗粒电子结构的影响:最佳的金活化基质的选择
机译:载体和过渡金属(M = Nb,Cr和Fe)掺杂对尖晶石Li_4Ti_5O_(12)化合物的结构和电子结构的掺杂效应
机译:利用统计-见る在过渡金属碳化物和金属表面形成的单层石墨的声子和电子结构
机译:通过将过渡金属催化剂固定在碳化物/碳核-壳结构的壳内来改善对碳化物衍生碳微结构的控制
机译:过渡金属碳化物和氮化物支撑对薄铂叠层电子结构的影响
机译:电子结构对过渡金属碳化物及其合金力学行为的影响
机译:用第8族过渡金属浅电子俘获掺杂剂,硒掺杂剂和镓掺杂剂以及掺杂的卤化银乳剂掺杂卤化银乳剂晶粒的方法
机译:在sno2纳米结构和纳米结构共掺杂过渡金属(如钴,锰和铁)的三掺杂物中,将铁磁镁,铁磁和半金属矿一体化的概念。
机译:硒化合物的化合物,如二硫辛烯配合物和过渡金属,以及该配合物作为掺杂剂的用途,包含该配合物的有机半导体材料,以及包含配合物的光电或电子结构元件结构元件
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