Ta原子在TaN(001)表面上绕岛迁移的第一原理计算

摘要

纳米薄膜的各方面性能和薄膜自身的微观结构是密切相关的,研究原子的迁移行为可以充分了解纳米材料的形成机理以及基本结构。笔者运用第一性原理VASP软件包对粒子的迁移行为进行模拟计算,内容包括模型的建立、原子吸附能的计算以及NEB方法计算迁移激活能。计算结果表明:Ta原子在2Ta2N岛附近的P3和P5位置为两个最稳定吸附,分别为11.41 eV和8.85 eV。Ta原子绕岛激活能的势垒较大(3.45eV),说明Ta原子的绕岛迁移很困难。