45nm分辨率增强技术优化

摘要

针对45nm节点的需求,系统分析和研究了该节点不同周期图形的成像规律,并采用了不同的分辨率增强技术进行对比研究,从中分析出最适合45nm不同周期图形的光刻方案。采用了传统的离轴照明技术及新照明方式进行对比,并结合交替式相移掩模、衰减式相移掩模及传统二元掩模进行分析,探讨了45nm节点不同周期图形的可实现性。通过优化光源参数,采用Y偏振,对比不同分辨率增强技术的组合,得出结论,采用双弧带照明,对于Y向Line/Spcae图形,其焦深,对比度等参数均可满足45 nm节点需要。最后通过双底层抗反射层(DBARC)优化,减小了底层反射率,有效地降低了摇摆效应,提高了Z向图形保真度。