退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
李果华; 孙艳宁; Aristo Yulius; Christine C.Broadbridge; Jerry M.Woodall;
江南大学理学院;
Department of Electrical Engineering;
Yale University;
New Haven;
CT06520;
USA;
Department of Physics;
Southern Connecticut State University;
CT06515;
晶格失配; InP/GaP界面; 缺陷;
机译:InP衬底上具有各种晶格失配的InGaAsBi的特性
机译:介电特性对铁电超晶格的电边界条件和界面的强烈依赖性
机译:具有镍酞菁(NiPc)中间层的Au / n-InP肖特基接触的电和界面特性
机译:由于GaAs和INP材料与INP基板上GaAs Mesfet的栅极漏电流与INP材料之间的晶格和INP材料的晶格失配对缺陷的影响
机译:绝缘固体的第一原理建模:响应特性,铁电超晶格及其界面。
机译:晶格失配较大的Cu / Pd多层膜中双界面的无形强化作用
机译:BiFeO3 / LaFeO3超晶格的相图:应变效应和异质界面对称失配引起的类反铁电态稳定性
机译:晶格匹配的InGaasp / Inp异质结的界面特性
机译:量子阱MOSFET通道具有与金属源极/漏极晶格失配以及共形再生长源极/漏极的晶格失配
机译:Inp基双异质晶格的晶格常数测量方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。