ZnSe:Cl,N单晶薄膜中载流子浓度的电学法测量和光学法确认

摘要

为了证实某一研究结果的正确性，常常需要采用两种以上相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算．本文采用新颖的远红外光谱技术和常用的Ｈａｌｌ、Ｃ－Ｖ等电学测量技术同时对ＭＢＥ生长的ＺｎＳｅ：Ｃｌ，Ｎ薄膜中的载流于浓度进行评价研究，发现电学法和光学法测量的结果可以很好地吻合，从而确认了ＺｎＳｅ宽禁带蓝绿色发光材料中较高的掺杂水平．