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金绍维; 顾伟伟; 周先意; 吴文彬; 翁惠民; 朱长飞; 叶邦角; 韩荣典;
中国科学技术大学近代物理系;
中国科学技术大学结构分析重点实验室;
中国科学技术大学材料科学与工程系;
锰酸锶镧; 外延薄膜; 增电子湮灭; 单能慢正电子束; 氧分压; 薄膜缺陷; 空位浓度;
机译:在(001)SrTiO_3衬底上生长的La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3 / Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3 / La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3外延膜的微观结构
机译:应变对外延La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3 / BaTiO_3超晶格中超薄La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3磁性的影响
机译:外延Pr_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3 / La_(0.5)Ca_(0.5)MnO_3 / Pr_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3三层的表面和界面结构的表征
机译:LA_(0.7)SR_(0.3)MNO_3 / YBA_2CU_3O_(7-Δ)/ LA_(0.7)SR_(0.3)MNO_3外延三层膜的生长和性质
机译:正磁阻材料镧(0.7)锶(0.3)锰的正电子研究。
机译:通过液滴外延生长的无应变GaAs / Al0.3ga0.7as量子点的对比化学物理分析
机译:La_ {0.7} sr_ {0.3} mnO_3应变薄膜的局部四方畸变 通过X射线吸收光谱探测
机译:晶格畸变和Jahn-Teller耦合对La(sub 0.7)Ca(sub 0.3)mnO(sub 3)和La(sub 0.5)Ca(sub 0.5)CoO(sub 3)外延膜的磁电阻的影响
机译:慢正电子束发生器用于寿命研究
机译:在衬底上形成具有无缺陷区域的外延膜的方法以及用外延膜形成衬底的方法
机译:通过电子束扫描研究半导体中的近表面电子性质
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