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冯双久; 马杰; 李广; 时亮; 李毕友; 李晓光;
中国科学技术大学结构分析开放研究实验室;
锌掺杂; 铋2212单晶; 临界电流密度; 磁滞回线测量; 铅掺杂; 高温超导; 涡旋钉扎; 自助熔剂法;
机译:Fe掺杂Bi2212单晶的临界电流密度的场和温度依赖性
机译:铅替代对掺杂MgO的Bi2212晶体中的临界电流密度的影响
机译:BeO掺杂对Pb替代Bi2212晶体中的临界电流密度的影响
机译:Zr和Zn掺杂对丝状Dy-Ba-Cu-O超导体临界电流密度的影响
机译:晶体各向异性,掺杂,孔隙率和连接性对超导二硼化镁块,线和薄膜的临界电流密度的影响。
机译:Bi2212圆形和Bi2223圆形扁线的生长织构比较及其与高临界电流密度发展的关系
机译:隧道测量中Ni和Zn掺杂对Bi2212的影响。 孔掺杂铜酸盐中高Tc超导电性的mCs模型
机译:质子辐照和退火对YBa(sub 2)Cu(sub 3)O(亚7-(δ))单晶中临界电流密度的影响
机译:具有卓越的临界电流密度的ZN-FE合金镀覆设备
机译:具有ap或n半导体层的光伏pin组件不具有zn,se,te,h含量为1-4原子%的单晶材料,掺杂元素和i-非单晶硅的半导体层(h,f)。
机译:光电元件,其具有由单晶物质构成的p-或n-pin半导体层,其中zn,se,te,h的原子含量为1-4原子%,并且掺杂元素包含i半导体层,由单晶si(h,f)构成。
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