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皮尔; 徐骏; 李伟; 陈坤基; 王广厚; 冯端;
南京大学固体微结构物理国家重点实验室;
物理系;
纳米锗; 覆盖率; 等离子体淀积; 氢化纳米锗; 阳极;
机译:氢稀释对等离子体增强化学气相沉积制备氢化纳米晶硅薄膜的纳米结构和电光特性的影响
机译:氩气对四氯硅烷/氢/氩等离子体沉积的氢化纳米晶硅结构的影响
机译:氢稀释对通过等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)制备的氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜的结构,电学和光学性质的影响
机译:氢化纳米晶硅的微观结构和电荷传输:沉积后氢等离子体处理的影响
机译:壁覆盖率,对称性和等离子体-壁分离对托卡马克等离子体稳定性的影响。
机译:暴露于氢等离子体的二硫化钨纳米粒子的氢化学构型和热稳定性
机译:量子自旋霍尔对锗烯纳米棒的影响完全嵌入 氢化锗烷
机译:电化学产生氧气。 1:阴离子和阳离子对铂电极上氢化学吸附和阳极氧化膜形成的影响。 2:阴离子和阳离子对铂电极上氧气产生的影响
机译:低温多晶硅薄膜的元件及其在低温下直接淀积的多晶硅薄膜的方法及其感应耦合等离子体化学气相淀积设备
机译:等离子体化学汽相淀积装置及采用该装置的化学汽相淀积方法及装置内部的清洗方法
机译:等离子体化学汽相淀积装置和基质加热和保持基体,以及制备碳纳米管的方法
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