扩锑的掺杂氧化物淀积系统

摘要

本文描写了应用氧化物掺杂的锑扩散系统。这个扩散系统适合pnp晶体管基区扩散。显然,用于集成电路的埋层扩散比现有的系统要好。设备包括一个电炉,用它加热放片子的旋转台。气体能自动地按编好的程序依次送入（CH3）3Sb（锑源）、SiH4、氧和氮。气体经过倒置的玻璃漏斗送到片子。在较低的温度下（315℃）进行淀积,一般只需5分钟。再扩散之前,淀积层由Sb2O5或者SiO2—Sb2O5混合物组成。用SiO2盖层防止Sb从表面蒸发。再扩散在通常扩散温度下进行。利用误差分布函数计算出在1200℃时的扩散系数为8.3×10-13cm2sec-1。从已发表的曲线推导出表面浓度为5×1019cm-3。扩散系数比发表的数值高,可能是由于在整个扩散过程中Sb2O5过量所引起。此系统已用于硅器件,但对锗扩散也有效。