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陈燕生; 李秋生; 王丛华; 陈炳贤; 高秀清;
北京科技大学;
中国原子能科学研究院;
单晶; 退火; 区熔工艺; 中照条件;
机译:轻水反应器和重水反应器辐照NTD FZ(H)Si的退火行为比较
机译:用于通过光学浮区(FZ)的单晶的单晶生长的现代设备(FZ)
机译:热轧板退火条件与初次再结晶退火条件对极低碳2.3%Si-1.7%Mn钢的2次再结晶行为的影响(定向性电磁钢板新制造方法的开发-第5次报导)
机译:还原条件对COREX工艺中自熔药丸预还原行为的影响
机译:使用感应退火工艺将乏核燃料罐的封闭焊接区中的残余应力降至最低。
机译:退火工艺对Ni(55%)Cr(40%)Si(5%)薄膜电阻器性能的影响
机译:退火条件对si +和mg +注入211 GaN掺杂抗旋转性能的影响
机译:用于测量单晶硅中的氧沉淀行为的P方法,用于制造硅单晶晶片的工艺确定方法以及具有用于测量单晶硅中的氧沉淀行为的程序的记录介质
机译:FZ法检测单晶生长过程中融化区脱落的方法及装置
机译:生产有用的单晶半导体材料例如在光伏产品中,包括提供半导体材料起始材料,将其转移到加热区中以及将熔体下沉到加热区或提升加热区中
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