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赵韦人; 刘德义; 黄荣芳; 闻立时;
中国科学院金属研究所;
介电函数; 尺寸效应; Boltzmann方程; 无界金属圆柱;
机译:表面等离子共振模式对周期性金属-介电纳米结构的埋入效应,该结构由耦合的球形金属纳米粒子与填充有介电层的圆柱孔组成
机译:无限大椭圆介电圆柱体对圆形金属或介电圆柱体的偏心散射
机译:穿线位错密度和介电层对硅衬底上晶片尺寸外延生长的p型锗制成的高空穴迁移率金属半导体场效应晶体管的温度相关电特性的影响
机译:金属有机化学气相沉积高介电常数TiO / sub 2 /介电金属氧化物半导体场效应晶体管的电应力效应
机译:高K电介质和金属的电气特性,介电响应建模以及金属功函数的修改。
机译:利用可拉伸金属弹簧作为圆柱介电弹性体致动器(DEAs)的电极
机译:具有薄金属或介电涂层的Cu,Ni和Co膜的电物理性质的尺寸效应
机译:金属氧化物 - 等离子体电容器中的介电弛豫效应
机译:基于具有高介电常数的金属氧化物和金属门的介电体形成场效应晶体管的方法及场效应晶体管的结构
机译:具有窄尺寸介电区和结构的场效应晶体管集成电路的形成方法
机译:形成具有窄尺寸介电区的图案的场效应晶体管集成电路的方法和所得结构
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