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杨卫强; 申江; 章立源;
北京大学物理系;
压力; 钪; 电子结构; 超导电性;
机译:高反向偏压下AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构栅漏电流的薄表面势垒模型研究及计算机辅助设计仿真。
机译:在高压下(TANB)(0.67)(0.67)(HFZRTI)(0.33)高熵合金的结构,弹性和电子性能的第一原理计算
机译:Ca_2La_3Sb_3O_(14)韦伯岩在常压和高静压下的结构和电子性质的从头算计算
机译:高漏极电压下AlGaN / GaN高电子迁移率功率晶体管自热的热反射CCD成像
机译:在δ掺杂的砷化镓高电子迁移率晶体管结构中使用二维电子气的弹道传输的器件。
机译:高压下Mo2FeB2的结构电子磁和弹性性质的第一性原理计算
机译:高功率和高温直流电压下GaN高电子迁移率晶体管的电学和结构退化
机译:单硫化钪的电子结构和热力学
机译:具有自聚焦kavita差和高电子的线性加速器-在低注入加速电压下的捕获率-(如图2和图3所示)。
机译:线性加速器,具有自聚焦腔,在低注入预加速电压下具有高电子捕获率。
机译:具有自聚焦腔的线性加速器,在低注入电压下具有高电子捕获率
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