(SiC)_p表面修饰及吸波性能研究

摘要

目的提高(SiC)P的吸波性能。方法采用低成本、环保型的化学镀镍方法对(SiC)P表面进行修饰,设计了氧化、亲水、敏化、活化系列增强前处理工艺,确定了(SiC)P表面修饰的最佳工艺流程。用SEM、EDS、XRD等分别表征了修饰前后(SiC)P形貌、成分、物相的改变,采用波导法测定了修饰后碳化硅复合粉体的介电性能,并以其为吸波剂在铝板上制备了吸波材料。结果修饰后,获得了镀层连续、无光滑(SiC)P裸露的较高质量的碳化硅复合粉体(简写为(Ni/SiC)P)。(Ni/SiC)P较原粉(SiC)P,其形貌、组成、结构发生了明显改变,且介电常数、介电损耗、吸波性能明显增强,其中,介电常数的实部增强约为22%,虚部增强约为20%。涂覆1层(Ni/SiC)P涂料,在17.12 GHz时,RL=−15.47 dB,大于涂敷2层原粉(SiC)P涂料的吸收效果。涂覆2层(Ni/SiC)P涂料,在16.11 GHz时,RL=−23.51 dB。结论采用低成本、环保型方法实现了(SiC)P表面高质量修饰,修饰后,复合颗粒(Ni/SiC)P的介电性能及吸波性能均明显提高。