碳热还原法制备SiC/C复合材料及其吸波性能研究

摘要

以正硅酸乙酯(TEOS)为硅的前驱体、活性炭(AC)为基体,通过溶胶凝胶反应获得Si02/AC复合物,再经高温炭热还原反应制备成SiC/AC复合体;采用XRD、SEM、BET以及电磁参数分析等手段,对制备的SiC/AC复合体的孔隙结构、电阻率、以及电磁参数等结构和性质进行表征.实验表明,1 600℃炭热还原反应制备的SiC/AC复合体,SiC含量为40％时吸波效果最好,测试样品涂层厚度为1.5 mm时,在O～ 18dB频率范围内,最大理论反射损耗达到-30.9 dB,理论反射损耗低于-5dB的频段范围为11.9～18GHz,频宽达到6.1 GHz.