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裴立宅; 赵海生;
安徽工业大学材料科学与工程学院安徽省金属材料与加工重点实验室;
半导体材料; 纳米电子器件; 锗纳米线; 制备技术; 生长机理;
机译:氧化物辅助法制备的氮化锗纳米线的表征与生长机理
机译:锗纳米线和锗硅氧化物纳米管的异质结构及其生长机理
机译:气液固机理对锗纳米线生长动力学的尺寸效应
机译:通过固体 - 固体(SLS)机理控制锗纳米线的生长
机译:利用金催化的气液固机理生长外延硅和锗纳米线。
机译:催化剂表面润湿性分析:外延锗纳米线生长的早期阶段
机译:多元醇过程作为SnO2前体纳米线制备的SNC2H4O2纳米线的生长机理
机译:反应溅射沉积法制备锌,铝和钒(及相关系统,金和锗氧化物,铝和钨氮化物)氧化物的低温薄膜生长
机译:利用阳极氧化铝氧化铝模板和硅锗的选择性表观生长的硅锗纳米线制造方法及其半导体装置
机译:单斜晶体单晶锗锗纳米线及其制备方法
机译:-专门与缺电子化合物反应的聚锗烷-锗醇纳米线及其制备方法
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