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傅义珠; 林川; 张树丹; 王佃利; 王因生;
南京电子器件研究所;
硅功率晶体管; 脉冲宽度; 微波功率器件; 晶体管;
机译:作者对有关在频率范围为7-50 kc / s的结型晶体管噪声的测量的讨论作出了答复。锗扩散结光电电池晶体管功率放大器晶体管直流转换器????????硅微波二极管中的噪声
机译:关于在7-50 kc / s频率范围内测量结型晶体管噪声的讨论?????????,锗扩散结光电二极管,电池?????????,?????????晶体管功率放大器?????????,????????晶体管dc转换器????????硅微波二极管中的噪声在1955年5月11日的无线电和测量部门的联席会议之前
机译:功率硅集成垂直DMOS和多晶硅CMOS薄膜晶体管的绝缘体上硅方法
机译:硅功率器件:射频功率晶体管和功率器件
机译:基于硅锗的功率异质结双极晶体管的开发及其在微波功率放大中的应用。
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:在同步降压转换器中的硅式侧向电源晶体管中的定制横向功率晶体管的评估
机译:设计和开发硅超高频功率晶体管,能够在430 mc时提供20瓦输出功率,最低效率为50%,功率增益为6B最终报告,1964年6月29日 - 1965年12月1日
机译:包括达林顿连接中的功率晶体管和齐纳二极管的功率晶体管器件,该齐纳二极管耦合在功率晶体管的集电极和基极之间并形成在多晶硅膜中
机译:半导体结构,栅电极与主体区域绝缘,功率晶体管与缓冲电容器和缓冲电阻连接,功率晶体管在硅区域内延伸
机译:由双极半导体和功率场效应晶体管构成的高功率开关组合,采用硅-硅键合技术
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