Cr^(4+),Yb^(3+)∶YAG晶体的生长及其吸收特性

摘要

用提拉法生长了Ｃｒ，Ｙｂ∶ＹＡＧ晶体，研究了在室温的吸收光谱特性以及氧化性气氛退火对其吸收特性的影响。在室温吸收光谱中存在着五大吸收带：在４４０ｎｍ和６０５ｎｍ存在着Ｃｒ３＋离子的两个吸收带，而且退火使其发生了明显的“红移”；在９３７ｎｍ和９６８ｎｍ处存在Ｙｂ３＋离子的两个吸收带，能与ＩｎＧａＡｓ激光二极管（ＬＤ）有效耦合，适合激光二极管泵浦；而且在１．０３μｍ处有一Ｃｒ４＋离子的吸收峰，可用作可饱和吸收体，从而可以实现对Ｙｂ３＋的自调Ｑ激光输出。在氧化性气氛下退火对晶体吸收特性及缺陷的影响是：退火使晶体的缺陷明显减少而且使Ｃｒ４＋浓度得到进一步的增加；Ｃｒ４＋离子浓度的增加主要是由于二价阳离子Ｃａ２＋进入相应的Ｙ３＋晶格所造成。并且从晶格场的角度讨论了退火使Ｃｒ３＋离子的吸收带发生“红移”