（1-x）ZnO-xMgO-TiO_2-SnO_2（x=0.1-0.2）高频介电陶瓷的制备、结构与介电性能

摘要

采用氧化物固相烧结法制备了不同摩尔比的（Zn_（1-x）Mg_x）（Ti_（0.8）Sn_（0.2））O_3（x=0.1-0.2）高频介电陶瓷,研究了陶瓷的微观结构和介电性能。结果表明：烧结温度超过1000℃时,陶瓷中均形成了立方尖晶石结构的固溶相（Zn,Mg）2（Ti,Sn）O4。当烧结温度为1100℃时的陶瓷致密程度最高;当烧结温度为1200℃且x=0.15时,在10 MHz测试频率下获得了陶瓷的最佳介电性能,其介电常数ε=28.65,介电损耗tanδ=1.02×10-3,满足高频介电陶瓷的使用要求。