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郑东宁; 林淑媛; 倪泳明; D.P.Hampshire; 赵忠贤;
中国科学院物理研究所超导国家重点实验室;
中国科学院物理研究所;
DepartmentofPhysics;
UniversityofDurham;
DurhamDH13LE;
UK;
临界电流; 输送; 超导体; 磁性离子对; Chevrel相;
机译:Gd掺杂对Chevrel相超导体PbMo / sub 6 / S / sub 8 /的临界电流的影响
机译:Chevrel相超导体中的临界电流和钉扎机制:材料科学问题
机译:GD的临界电流掺杂PBMO_6S_8在1500°C中合成
机译:了解为什么谷物边界限制了Fe基超导体的临界电流密度,并探讨了提高电流密度的方法
机译:将两个磁性离子对A站点的影响与Gd1-xDyxCrO3中的电子磁和催化性质
机译:临界电流密度对snmo6s8 Chevrel相超导体微观结构的依赖性
机译:溅射冷却制备非晶铁磁Gd - au,Gd - Ni和Gd - Co合金的磁性和输运性质
机译:在这种情况下,通过将可忽略的临界电流和制品分解为可忽略的临界电流,可将高温超导体中的高温超导体组件组装的过程。
机译:增加高温超导体的临界电流密度涉及缓慢冷却超导体材料,以通过对准魏斯区来实现更高的临界电流密度。
机译:磁场角对临界电流密度有影响的超导体
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