首页> 中文期刊> 《硅酸盐学报》 >基质晶体的真空紫外光谱研究

基质晶体的真空紫外光谱研究

         

摘要

初步总结了基质晶体中吸收带位置的规律 ,即氧化物 (CaO∶Eu ,Y2 O3∶Eu ,≈ 2 0 0nm) >多铝酸盐 (BaMgAl1 0 O1 7∶Eu ,≈ 175nm)≥硅酸盐 (Ca2 SiO4 ∶Tb ,160~ 170nm) >硼酸盐 [(Y ,Gd)BO3∶Eu ,15 0~ 160nm]≥钒酸盐 (YVO4 ∶Eu ,≈ 15 5nm)≈正磷酸盐 [(La,Gd)PO4 ∶Eu ,≈ 15 5nm] >五磷酸盐 (TbP5O1 4∶Eu ,≈ 13 5nm) >二磷酸盐 [Sr3(PO4 ) 2 ∶Eu或K3Tb(PO4 ) 2 ∶Eu ,≈ 12 5nm] >氟化物 (LaF3∶Eu或LiYF4 ∶Eu ,≈ 12 0nm)。基质吸收带的位置主要取决于基质的阴离子、阴离子基团 ,以及基质的组成、结构和键能 ,也受基质中阳离子的影响。这一初步规律将有助于人们寻找优质的新型紫外晶体和新型等离子体平板显示器件用的荧光粉。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号